近日，我院与重庆大学合作在国际顶级期刊《Angewandte Chemie International Edition》（中科院一区Top）发表了题为“Superoxide-Anion-Dominated Labeling of Graphene Defects in an Interfacial Nanoreactor of Electron-Donated Substrate”的研究论文，重庆科技大学为论文第一单位，学院杨倩副教授和重庆大学胡宝山教授为共同通讯作者。
为实现石墨烯缺陷快速精准表征，研究团队提出了一种基于染料分子光敏化的限域光化学策略。该研究利用石墨烯缺陷位点与下方铜基底界面构建的限域“纳米反应器”，调控光激发亚甲基蓝的光敏化路径，使其优先通过I型电子转移路径生成超氧阴离子，进而驱动石墨烯缺陷处铜基底的选择性刻蚀。该刻蚀反应具有空间限域特征，其依赖于铜晶面取向。该工作实现了石墨烯缺陷的精准标记，为二维材料缺陷的化学识别与修饰提供了新思路。
据悉，《Angewandte Chemie International Edition》由德国化学会主办、Wiley-VCH出版社出版，其母刊《Angewandte Chemie》创刊于1887年，国际版创刊于1962年，是国际化学领域最具影响力的顶级学术期刊之一。该刊被SCI、SCIE等权威数据库收录，最新影响因子为17.6，属于中国科学院化学大类一区TOP期刊，JCR化学综合Q1区，在全球化学及相关交叉学科领域具有极高的学术影响力。
论文链接：https://doi.org/10.1002/anie.2000678
